This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
VN0606 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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VN0606L-G-P003 | KOA | 贴片电阻 0805 270Ω ±5% 1/4W ±200ppm/℃ | 立即购买 |
VN0606L-G | Maxim | IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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SY_0606开发板的特性简 | 451 | 点击下载 | |
G0606M-I光电二极管 | 264 | 点击下载 | |
VN2700系列视频编码器 | RAR | 899 | 点击下载 |
2N6661/VN88AFD pdf datasheet | RAR | 77 | 点击下载 |
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G2S06510A 兼容C3D10060A C3D06065A | 1693 | 点击下载 | |
伺服驱动器VN维护和检查 | 171 | 点击下载 | |
VN2222 pdf | RAR | 45 | 点击下载 |
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北汇基于基于Vector CANoe、VN5650、VT System和Technica公司升级版的Golden Device,推出“一站式”100&1000BASE-T1 IOP测试解决方案。
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VN4012 | VN0109 | VP0808 | VP0106 |
VP0808 | VP2110 | VP2106 | VP2206 |
VN1206 | VN0106 | VP2206 | VP0109 |
VN2450 | VP2450 | VP2106 | VN0550 |
VP0106 | VP0550 | VN2410 | VP0104 |