VN2460

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MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 600V, 20 Ohm

中文数据手册

产品信息

This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a verticalDMOSstructure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

电路图、引脚图和封装图

VN2460 封装图
VN2460 封装图

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型号	制造商	描述	购买
VN2460N3-G-P014	EDAC	857 HIGH TEMP' SERIES (.156" (3.	立即购买
VN2460N3-G-P003	Yageo	贴片电阻 0805 82Ω ±1% 1/8W ±50ppm/℃	立即购买
VN2460N8-G	SiTime	有源晶振 ±25ppm 2.5V 77.76MHz SMD-4	立即购买
VN2460N3-G	LEDdynamics	LED MOD INDUS STAR 4000K 75CRI	立即购买

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