VN3205

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MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 50V, 0.3 Ohm

中文数据手册

产品信息

This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a verticalDMOSstructure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

电路图、引脚图和封装图

VN3205 封装图
VN3205 封装图

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型号	制造商	描述	购买
VN3205N3-G-P002	EDAC	895 SERIES (.100" (2.54MM) CONTA	立即购买
VN3205N8-G	SiTime	有源晶振 19.2MHz ±25ppm 1.8V SMD-4	立即购买
VN3205N3-G	Maxim	IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 16QSOP	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
与drv3205-q1电动助力转向系统设计指南	RAR	156	点击下载
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对于drv3205-q1问答看门狗定时器配置_英版	RAR	85.8	点击下载
LM3205,pdf datasheet (650mA Mi	RAR	555	点击下载
drv3205-q1_24V汽车系统中的应用	RAR	40.8	点击下载
IRF3205 HEXFET Power MOSFET	RAR	225	点击下载
MAX3205E-MAX3208E中文资料.pdf	RAR	777	点击下载
PAW3205DB-TJ3T_LOW_POWER_WIRELESS_MOUSE_SENSOR	PDF	268	点击下载

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