VN0550

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MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 500V, 60 Ohm

中文数据手册

产品信息

This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

电路图、引脚图和封装图

VN0550 封装图

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型号	制造商	描述	购买
VN0550N3-G-P013	EDAC	857 HIGH TEMP' SERIES (.156" (3.	立即购买
VN0550N3-G	Abracon	无源晶振 50Ω 27MHz 6pF ±20ppm -40℃~+85℃ SMD2520_4P	立即购买

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