TN2640

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MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 400V, 5.0 Ohm

中文数据手册

产品信息

This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold (2.0V max.)

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

电路图、引脚图和封装图

TN2640 封装图
TN2640 封装图
TN2640 封装图

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型号	制造商	描述	购买
TN2640N3-G	KEMET	贴片电容（MLCC） 0603 390pF ±5% 25V C0G (NP0)	立即购买
TN2640LG-G	Bivar	LEDENGINEC5500BLUE24"STRIP	立即购买
TN2640K4-G	Dialight	PWAR WARM WHITE SPOT W DRIVE	立即购买

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