This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 50pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
TN0110 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
TN0110N3-G-P002 | Knowles | 贴片电容(MLCC) 0805 10pF ±5% 500V C0G(NP0) | 立即购买 |
TN0110N3-G | ROHM | 贴片电阻 2010 390Ω ±1% 1W ±100ppm/℃ | 立即购买 |
计讯物联北斗GNSS接收机TN521,微米级高精度位移形变监测,支持GPSL1/L2,BDB1/B2,支持北斗三代多频段,支持串口裂缝、压力、应力、倾角、加速度、舞动传感器有线接入,支持数据采集
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TLC2543 | TLC3578 | TLC1549 | TLC3541 |
TMS320F28379D | TPS560200 | TMBYV10-60 | THS1007 |
TPS61220 | TMP37 | TMP37 | TPIC2050 |
TC4451 | TMP36 | TPS51200 | TMMBAT43 |
TLC541 | TPS62740 | TC1046 | TC651 |