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The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二极管是一种超高性能的功率肖特基二极管。它是使用碳化硅衬底制造的。宽禁带材料允许的肖特基二极管结构的设计与600伏的评级。由于肖特基结构没有恢复是在关断和铃声模式显示可以忽略不计。最小的电容关断行为是独立的温度。
ST SiC二极管将促进在硬开关条件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Dedicated to PFC boost diode
主要特点
没有或可以忽略不计的反向恢复
温度开关行为
专用PFC升压二极管
STPSC606电路图
STPSC606 引脚图
STPSC606 封装图
STPSC606 封装图
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| SSM2019 | STTH30ST06-Y | STPS1170 | SSM2356 |
| SST12LP15B | STTH4R02-Y | SSM3582 | STPS0540Z |
| STPSC806 | STPS1545C-Y | STPSC606 | STTH112-Y |
| SST26VF032B | STPS3L60S | SSM6322 | STTH50W03C |
| STTH803 | STTH20W02C | STK534U362C-E | STM32L051C8T6 |
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