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The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二极管是一种超高性能的功率肖特基二极管。它是使用碳化硅衬底制造的。宽禁带材料允许的肖特基二极管结构的设计与600伏的评级。由于肖特基结构没有恢复是在关断和铃声模式显示可以忽略不计。最小的电容关断行为是独立的温度。
ST SiC二极管将促进在硬开关条件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Dedicated to PFC boost diode
主要特点
没有或可以忽略不计的反向恢复
温度开关行为
专用PFC升压二极管
STPSC606电路图
STPSC606 引脚图
STPSC606 封装图
STPSC606 封装图
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| SSM2519 | STPS30M100DJF | STTH240F04 | SSM2211 |
| STPS2170 | SSM2537 | SSM2804 | STPS1L20MF |
| SKQGADE010 | ST13003 | SST11CP15E | SSM2377 |
| SST12LP15A | SST26WF080BA | STLC2690 | STPS61L60C |
| SSM2212 | STPS1H100-Y | STPS660CB | SSM2356 |
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