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The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二极管是一种超高性能的功率肖特基二极管。它是使用碳化硅衬底制造的。宽禁带材料允许的肖特基二极管结构的设计与600伏的评级。由于肖特基结构没有恢复是在关断和铃声模式显示可以忽略不计。最小的电容关断行为是独立的温度。
ST SiC二极管将促进在硬开关条件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Particularly suitable in PFC boost diode function
主要特点
没有或可以忽略不计的反向恢复
温度开关行为
在PFC升压二极管功能特别适合
STPSC806电路图
STPSC806 引脚图
STPSC806 封装图
STPSC806 封装图
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本内容为RT8060A降压DCDC转换器的应用电路。
SoC可以有效地降低电子/信息系统产品的开发成本，缩短开发周期，提高产品的竞争力，是未来工业界将采用的最主要的产品开发方式。
| STPS1H100-Y | SSM2166 | STTH2002C | STPSC12H065C |
| SST25VF016B | SST25VF512A | STPS120L15 | STPS160-Y |
| STPS30120C | STPS15H100C | SMF05CT1G | STTH3R02-Y |
| SPBT2632C1A | SM320C40 | STTH16R04C | SMP04 |
| SST25VF010A | STPS20120C | STTH110-Y | SN74LVC2G07 |
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