The SST12LP15B is a versatile power amplifier based on the highly-reliable InGaP/GaAs HBT technology. Easily configured for high-power applications with excellent power-added efficiency while operating over the 2.4- 2.5 GHz frequency band, it typically provides 32 dB gain with 34% power-added efficiency. The SST12LP15B has excellent linearity while meeting 802.11g spectrum mask at 24dBm. The SST12LP15B also features easy board-level usage along with highspeed power-up/down control through a single combined reference voltage pin and is offered in both 16-contact VQFN and 12 contact XQFN packages.
High Gain:– More than 32 dB gain across 2.4–2.5 GHz over temperature-40°C to +85°C
High linear output power:– >29 dBm P1dB– Meets 802.11g OFDM ACPR requirement up to 26 dBm– ~3% added EVM up to 23 dBm for 54 Mbps 802.11g signal– Meets 802.11b ACPR requirement up to 25.5 dBm
High power-added efficiency/Low operating current for 802.11b/g/n applicationsApplications
WLAN (IEEE 802.11b/g/n)
Home RF
Cordless phones
2.4 GHz ISM wireless equipment
SST12LP15B 封装图
SST12LP15B 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SST12LP15B-QXBE | - | - | 立即购买 |
SST12LP15B-QVCE | ON | MOSFET N-CH 30V 41A DPAK | 立即购买 |
关于IOS15系统的测试版会在7月份公开,正式版的IOS15暂时还未公布。
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