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制造商：ADI/AD
优势和特点
噪声系数：小信号增益：1.6 dB（典型值）20 dB（典型值）
P1dB输出功率：16 dBm（典型值）
电源电压：3.5 V（80 mA，典型值）
输出IP3：28 dBm（典型值）
50 Ω匹配输入/输出
通过可选偏置控制实现自偏置，在不施加射频(RF)的情况下降低静态漏极电流(IDQ)
裸片尺寸：1.33 mm × 1.04 mm × 0.102 mm
产品详情
HMC902-裸片是一款砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902-裸片的工作频率范围为5 GHz至11 GHz。该LNA提供20 dB的小信号增益、1.6 dB的噪声系数、28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902-裸片还具有匹配至50 Ω的输入/输出以便轻松集成到多芯片模块(MCM)。所有数据均利用50 Ω测试夹具中的HMC902-裸片获取，通过长度为0.31 mm (12 mil)、直径0.025 mm (1 mil)的两条线焊连接。
应用
点对点无线电
点对多点无线电
军事与航天
测试仪器仪表
工业科研和医疗(ISM)无线电频段
免执照国家信息基础设施(UNII)
无线通信服务(WCS)
如今，从数据中心到边缘层，再到万物智能网络的深处，先进的Multi-Die系统实现了前所未有的性能水平。Multi-Die系统不是通用的单体架构芯片，而是由一系列异构芯片（也称“小芯片”）组成，其中
可能你偶尔会听见硬件工程师，或者芯片设计工程师讲述一些专业名词，比如今天说的wafer、die、cell等。
HMC490是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，工作频率范围为12至17 GHz。采用+5V电源时，HMC490提供27 dB增益、2 dB噪声系数和35 dBm输出IP3
2D芯片设计中通常为二阶或三阶的效应，在Multi-Die系统中升级为主要效应。
是什么推动了Multi-Die系统的发展？由于AI、超大规模数据中心、自动驾驶汽车等应用的高速发展，单片片上系统（SoC）已经不足以满足人们对芯片的需求了。Multi-Die系统是在单个封装中集
在当今时代，摩尔定律带来的收益正在不断放缓，而Multi-Die系统提供了一种途径，通过在单个封装中集成多个异构裸片（小芯片），能够为计算密集型应用降低功耗并提高性能。
Multi-Die系统的基础构建，亦是如此，全部都需要细致入微的架构规划。 对于复杂的Multi-Die系统而言，从最初就将架构设计得尽可能正确尤为关键。 Multi-Die系统的出现，是为了应对设计规模增加和系统复杂性给摩尔定律有效性带来的挑战。Mult
Hittite公司推出的HMC902和MC903，HMC902LP3E和HMC903LP3E四款MMIC低噪声放大器，覆盖频率从5到 18GHz，适用于汽车电子、宽带、微波、卫星通信等领域。
| HMC865 | HMC213B | HMC974 | HMC8108 |
| HMC509 | HMC-MDB218 | HMC668 | HMC416 |
| HMC826 | HMC939ALP4E | HMC683 | HMC641ALC4 |
| HMC815B | HMC788A | HMC722LP3E | HV5222 |
| HMC407 | HMC454 | HMC232A | HMC618A |
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