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制造商：ADI/AD
优势和特点
高输出功率： +17 dBm
低输入功耗驱动： -2至+6 dBm
Fo隔离： >20 dBc（Fout = 24 GHz时）
100 kHz SSB相位噪声： -132 dBc/Hz
单电源： +5V (82 mA)
裸片尺寸： 1.18 x 1.23 x 0.1 mm m
产品详情
THMC576是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在24 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。 HMC576非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。
应用
时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64
点对点和VSAT无线电
测试仪器仪表
军事电子战/雷达
太空
HMC576-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC576-SX | - | - | 立即购买 |
| HMC576 | - | - | 立即购买 |
HMC-APH518是一款两级GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器，工作频率范围为21至24 GHz。 HMC-APH518提供17 dB增益，采用+5V电源电压时具有+30.5 dBm输出功率（1 dB压缩）
昨夜我们欣赏了AMD二代霄龙处理器的红外线透视照，来自德国硬件媒体HardwareLuxx的大神级人物OC_Burner，但是翻阅资料发现，这并不是他第一次如此对待AMD处理器，此前就已经以同样的方式观察过三代锐龙，但好像没有引起多少人...
随着移动通信技术的发展，系统越趋复杂，同时产品集成度要求也越来越高，系统级封装（SiP）成为了最具潜力的候选方案之一，其将不同制程工艺节点的裸芯片Die集成在一个封装里，在满足器件高性能需求的同时，也减少了芯片设计公司的研发成本和时间。
DDR4的单、双DIE兼容仿真案例
在半导体行业中，“die”，“device”，和“chip”这三个术语都可以用来指代芯片。
Wafer、die、chip是半导体领域常见的术语，但是为什么单颗裸芯会被称为die呢？
芯砺智能近日宣布，其全自研的Chiplet Die-to-Die互连IP（CL-Link）芯片一次性流片成功并顺利点亮。这一重大突破标志着芯砺智能在异构集成芯片领域取得了领先地位，为人工智能时代的算力基础设施建设提供了更加多元灵活的互连解决方案。
可能你偶尔会听见硬件工程师，或者芯片设计工程师讲述一些专业名词，比如今天说的wafer、die、cell等。
| HMC1030 | HMC-C022 | HMC750 | HMC4069 |
| HMC-SDD112 | HMC1099 | HMC347ALP3E | HMC753 |
| HMC850 | HMC363-Die | HMC263LP4E | HMC529 |
| HMC1068 | HMC291S | HMC459 | HCPL2601 |
| HMC499LC4 | HV5222 | HMC6187 | HMC465LP5 |
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