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    WST2339

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    P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-7.1A

     

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    产品信息

    规格参数

    产品分类

    MOSFETs

    晶体管

    FET配置(电路类型)

    P沟道

    漏源击穿电压V(BR)dss

    20V

    漏极电流(Id, 连续)

    7.1A(Tc)

    导通电阻 Rds(on)

    17毫欧

    阈值电压Vgs(th)

    500mV@250µA

    最大耗散功率

    1.4W

    封装/外壳

    SOT-23-3L


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    WST2339WINSOKMOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.1A RDS(ON)=19mΩ@4.5V SOT23-3 立即购买

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