This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
VN0300 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
VN0300L-G-P002 | Knowles | 贴片电容(MLCC) 1206 180nF ±5% 100V X7R | 立即购买 |
VN0300L-G | Heatron | LED MODULE 6" 4000K 80CRI | 立即购买 |
该视频演示了如何使用DPPD PROX测量运行测试的虚拟网络功能(VNF)性能。
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北汇基于基于Vector CANoe、VN5650、VT System和Technica公司升级版的Golden Device,推出“一站式”100&1000BASE-T1 IOP测试解决方案。
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VECANA01 | VN2110 | VP2450 | VN2222L |
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