This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
VN1206 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
VN1206L-G-P002 | Vishay | 贴片电阻 0402 20Ω ±1% 1/16W ±100ppm/℃ | 立即购买 |
VN1206L-G | Bivar | LEDENGINEC55006500K36"STRIP | 立即购买 |
最近,有位小仙女又找笔者来推荐笔记本,要求:颜值要高,要很轻,不然拿不动。..
10米27MHz CW无线电放大器配备了Siliconix生产的VN66AF晶体管,具有一些优点:价格便宜,介电绝缘性好,增益高。在这里,我们使用VN66AF作为10m频段(26 。..30兆赫)。
THS1206有4个模拟信号输入端,每个输入端既可作为4个单独的非极性信号的输入通道,也可作为2个差分信号输入通道,而且两种方式可同时混合使用,具体的输入通道模式可由内部控制寄存器控制。
不同的电子工程师,对于封装的称法也不相同,比如,前段时间,有客户向东沃电子(DOWOSEMI)咨询1206封装瞬态抑制二极管。1206封装?1206封装是SOD-123封装吗?不可否认,在瞬态抑制
不同的电子工程师,对于封装的称法也不相同,比如,前段时间,有客户向东沃电子(DOWOSEMI)咨询1206封装瞬态抑制二极管。1206封装?1206封装是SOD-123封装吗?不可否认,在瞬态抑制
一个普通的工作日,内蒙古**钢铁有限责任公司66KV 1#变电站主控室内,通过数字化变电站平台,运维人员操作红外测温巡检指令,借助站内刚安装完成的2套飒特红外CK350-VN热成像变电站辅助监控系统,仅用半小时就完成了一次全站测温巡检任务。
Vishay Beyschlag MCA 1206 AT电阻具有优异的耐潮能力,出色的温度循环稳定性,高耐硫性符合ASTM B 809标准,在汽车、工业、医疗和通信设备等恶劣环境中性能极为稳定。
客户在实际应用中需要使用CANoe或者CANape/vMeasure结合CSM的ECAT模块对数据进行采集,而且往往需要面对多路以太网的数据采集场景。针对以上特定需求,本文以VN5610A接口卡为例, 分别搭建CANoe和CANape同ECAT ADMM数采模块的测量工程。
VP0550 | VN0109 | VECANA01 | VN2110 |
VP3203 | VN0550 | VN2450 | VN2410 |
VP2106 | VN0300 | VN2406 | VN1206 |
VP2110 | V23074A2002A403 | VN3205 | VP0808 |
VP0104 | VP2450 | VP0109 | VN4012 |