TN0104

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MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 40V, 1.8 Ohm

中文数据手册

产品信息

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold (1.6V max.)

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

电路图、引脚图和封装图

TN0104 封装图
TN0104 封装图

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型号	制造商	描述	购买
TN0104N3-G-P003	Knowles	贴片电容（MLCC） 2220 120nF ±10% 25V X7R	立即购买
TN0104N3-G-P014	EDAC	895 SERIES (.100" (2.54MM) CONTA	立即购买
TN0104N8-G	Maxim	IC BUFFER 2 CIRCUIT 8UMAX	立即购买
TN0104N3-G	Maxim	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5	立即购买

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