The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二极管是一种超高性能的功率肖特基二极管。它是使用碳化硅衬底制造的。宽禁带材料允许的肖特基二极管结构的设计与600伏的评级。由于肖特基结构没有恢复是在关断和铃声模式显示可以忽略不计。最小的电容关断行为是独立的温度。
ST SiC二极管将促进在硬开关条件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Dedicated to PFC boost diode
主要特点
没有或可以忽略不计的反向恢复
温度开关行为
专用PFC升压二极管
STPSC406电路图
STPSC406 引脚图
STPSC406 封装图
STPSC406 封装图
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ZMC406和ZMC460N这两款控制器同属高系列,功能强大,能满足多种场合的需求,支持直线插补、连续插补、任意圆弧插补、空间圆弧、螺旋插补、电子凸轮、电子齿轮、位置锁存、同步跟随、虚拟轴设置、硬件比较输出、硬件定时器、运动中精准输出等功能;采用优化的网络通讯协议可以实现实时的运动控制。
SST26WF080B | SSM2380 | SSM2517 | STK672-640AN-E |
STTH6004W | STPS3170 | STPS30L45C | SCDRX2ES |
SSM2135 | STPS40170C | SSM2306 | STPS10170C |
STPS80170C | STK672-442AN-E | STPS61L45C | STPS200170TV1 |
STPS120MF | STM32L051C8T6 | SST12LN01 | STPS2545C-Y |