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The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions.
碳化硅二极管是一种超高性能的功率肖特基二极管。它是使用碳化硅衬底制造的。宽禁带材料允许的肖特基二极管结构的设计与650伏的评级。由于肖特基结构，没有恢复被证明在关断和铃声模式是可以忽略不计。最小的电容关断行为是独立的温度。
特别适合使用在PFC应用，这将促进ST SiC二极管在硬开关条件下的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Dedicated to PFC applications
ECOPACK®2 compliant component
主要特点
没有或可以忽略不计的反向恢复
温度开关行为
致力于PFC的应用
®Ecopack 2兼容的组件
STPSC40065C电路图
STPSC40065C 引脚图
STPSC40065C 封装图
STPSC40065C 封装图
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| STW81200 | STPS20SM120S | STPS4045C | SSM2932 |
| STTH1R06-Y | STTH60SW03C | STPS2545C-Y | STPS15L25 |
| STTH10LCD06C | smd115 | STPS3L40-Y | SN54HC373-DIE |
| STPS8L30 | STPS1L30MF | SMA3117 | STPS1545C |
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