The compromise-free, high quality design of this diode has produced a device with low leakage current, regularly reproducible characteristics and intrinsic ruggedness. These characteristics make it ideal for heavy duty applications that demand long term reliability.
妥协的自由,高质量的半导体设计制作了具有低漏电流的装置,定期重复的特点和内在的坚固性。这些特性使其理想的重型应用,要求长期可靠性。
Ultrafast switching
Low reverse current
Low thermal resistance
Reduces switching and conduction losses
High junction temperature
ECOPACK®2 compliant component
主要特点
超快切换
低反向电流
低热阻
减少开关和传导损耗
高结温
®Ecopack 2兼容的组件
STTH30R04电路图
STTH30R04 引脚图
STTH30R04 封装图
STTH30R04 封装图
STTH30R04 封装图
STTH30R04 封装图
JK405R是一颗SOP16封装的录音芯片,专用于录音的应用,芯片内置了30秒的录音空间,同时还支持外扩
11月10日消息,今天华为Mate30 RS保时捷设计正式开卖。12GB内存+512GB存储,支持5G双模全网通,定价12999元。
文章目录 一、Rd-04引脚说明 二、Rd-04与STM32的接线 三、STM32驱动移植 四、 其他API说明及源码地址 前言 安信可雷达模组 Rd-04 已经出来一段时间了,怎么快速上手想必大家
今天下午,华为将在上海举办新品发布会,正式面向国内推出Mate 30系列。除了华为Mate 30、30 Pro以及Mate 30 RS保时捷设计之外,华为Watch GT2手表、FreeBuds3耳机、华为首款轻薄VR眼镜也将在发布会现场展区,我们看到了华为Mate 30 RS保...
每年的华为Mate系列旗舰手机都会有一款保时捷定制版,今年的Mate30也不例外。
继Mate 30 Pro之后,知名爆料人evleaks分享了Mate 30 RS保时捷设计的官方渲染图。
9月22日,华为中国官微放出了华为全新顶级旗舰华为Mate30 RS保时捷的设计宣传片。
MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代
STTH20R04 | STPS3150 | STTH20004TV1 | SST25WF020A |
SST26WF040BA | SCP51460 | STTH50W03C | SSM4567 |
STTH5L04DEE | STPS3L60S | STTH208-Y | SST26WF016BA |
STPS2545C | STPS20200C | STPS15H100C | STPS5L60 |
STTH5L04DEE | SSM2167 | STTH10002 | STPS30H60C |