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制造商：TI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| OPA656TDB2 | TI | IC OPAMP GP DIE | 立即购买 |
| OPA656TDB1 | TI | IC OPAMP GP DIE | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| 所选封装材料的热学和电学性质 | 645 | 点击下载 | |
| 高速数据转换 | 2048 | 点击下载 | |
| 运算放大器的单电源操作 | 2048 | 点击下载 | |
| Noise Analysis for High Speed Op Amps | 256 | 点击下载 | |
| Tuning in Amplifiers | 44 | 点击下载 | |
| Op Amp Performance Analysis | 76 | 点击下载 |
Multi-Die系统的基础构建，亦是如此，全部都需要细致入微的架构规划。 对于复杂的Multi-Die系统而言，从最初就将架构设计得尽可能正确尤为关键。 Multi-Die系统的出现，是为了应对设计规模增加和系统复杂性给摩尔定律有效性带来的挑战。Mult
SSI芯片必须了解的基本问题
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。
新思科技IP营销和战略高级副总裁John Koeter表示：裸片拆分和分解的趋势下，需要超短和特短距离链接，以实现裸晶芯片之间的高数据速率连接。
作为半导体制造的后工序，封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。
AMD不久前刚刚发布了代号Rome（罗马）第二代EPYC霄龙处理器，拥有7nm工艺和Zen 2架构，而且采用了chiplet小芯片设计，集成最多八个CPU Die和一个IO Die设计非常独特。
Problem What range of dielectric constants you could be realize with your PCB materials? Solution All of our material has a 4.7 dielectric constant
...电器隔离，进而提高了电源的安全性。文中主要对基于L6561的临界模式下高PF反激式开关电源的环路设计进行了论述，其中反馈回路由PC817A和TL431组成，文中对环路的补偿设计电路进行了定性分析和定量计算，通过选择合适的相位...
| OP290 | OP196 | OP07 | OP470 |
| OP497 | OP481 | OP07D | OPA2340-DIE |
| OPA170-DIE | OP295 | OP196 | OP467 |
| OP77 | OP07 | OP777 | OP275 |
| OP191 | OP491 | OP413 | OP200 |
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