制造商:ON
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NVMFD5C672NLWFT1G | - | - | 立即购买 |
NVMFD5C672NLT1G | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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DFN8 5x6, 1.27P Dual Flag (SO8FL-Dual) | 58 | 点击下载 | |
Dual N-Channel Power MOSFET | 128 | 点击下载 | |
PSpice Model | UNKNOW | 174 | 点击下载 |
Spice2 Model | UNKNOW | 174 | 点击下载 |
Spice3 Model | UNKNOW | 174 | 点击下载 |
Saber Model | UNKNOW | 192 | 点击下载 |
C语言基础知识(5)--循环语句
MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代
IS61WV12816DBLL-10BLI高速低功耗异步SRAM芯片EMI502NL16LM-55I 我司英尚国际推荐一款国产SRAM芯片,型号EMI502NL16LM-55I产品,该系列由EMI先进的全CMOS
30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有
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MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代
NCS20032 | NCP4371 | NCS20082 | NJL0302D |
NCS2200 | NCP1337 | NLSX5014 | NCP372 |
NCP1239 | NLSX5011 | NVMFD5C446N | NCV8406B |
NCP51145 | NCT203 | NB3V8312C | NCP1397 |
NC7SPU04 | NC7ST02 | NUD3160 | N57M5127 |