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    NDS7002A

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     N沟道增强模型场效应晶体管

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 它们可用于大部分需要高达 400mA 直流电流的应用,并且能够提供高达 2A 的脉冲电流。这些产品特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器)以及其它开关应用。
    • 高密度单元设计可实现极低的 R
    • 电压控制的小型信号开关。
    • 坚固而可靠。
    • 高饱和电流能力。

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    型号制造商描述购买
    NDS7002A-F169-- 立即购买
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    技术资料

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    SOT-23PDF32 点击下载
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPDF757 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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