制造商:ON
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NV25640DTHFT3G | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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TSSOP8, 4.4x3 | 54 | 点击下载 | |
64-Kb SPI Serial CMOS EEPROM | 200 | 点击下载 |
DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM,
新一代NV SRAM技术 第一代NV SRAM模块问世近20年来,NV SRAM技术不断更新,以保持与各种应用同步发展,同时满足新的封装技术不断增长的需求。 发展与现状
...度或能源效率。本篇文章介绍64Kbit非易失性铁电存储器FM25640B。
最新的纳微GaNFast 电源集成电路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm 的QFN封装内。这个封装增加了一个大的冷却片,用于降低封装的热阻和提高散热性能。 这种封装使高密度电源的设计更加可靠,特别是对于没有气流的全封闭充电器和适配...
据国外媒体报道,Mobileye NV正在利用母公司英特尔的芯片制造技术开发激光传感器。该公司表示,到2025年,自动驾驶汽车的价格将变得足够低廉,可以在消费者中普及开来。
NVIDIA 的最新嵌入模型 NV-Embed —— 以 69.32 的分数创下了嵌入准确率的新纪录海量文本嵌入基准测试(MTEB)涵盖 56 项嵌入任务。
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元(访问时间高达20 ns)与基于硅氧化物和亚硝酸盐,氧化物硅(SONOS)的非易失性存储元件相结合,可提供快速的异步读写访问速度,并在其整个工作范围
NCP1612 | NXH80T120L2Q0S2G | NSI45025 | NLAS4053 |
NUF2114 | NB6VQ572M | NCP81258 | NB3V1103C |
NC7SV02 | NCV33164 | NZ9F18VS | NVMFD5C470NL |
NCV8705 | NUF8410 | N34TS04 | NCV8408B |
NCP160 | NC7S04 | NCV809 | NB3N3002 |