制造商:ON
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MCT62SD | - | - | 立即购买 |
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MCT62 | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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8 LEAD PDIP | 34 | 点击下载 | |
MCT62-D.pdf | 424 | 点击下载 | |
Optocoupler Input Drive Circuits | 252 | 点击下载 | |
UL:E90700_3 | 347 | 点击下载 | |
VDE:40026857 | 571 | 点击下载 | |
CSA:1027742 | 2048 | 点击下载 | |
Design Fundamentals for Phototransistor Circuits | 1472 | 点击下载 |
MCT是一种新型MOS与双极复合型器件。如图所示。MCT是将MOSFET的高阻抗、低驱动图MCT的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起,形成大功率、高压、快速全控型器件。
碲镉汞(MCT)材料的表面钝化是红外探测器制备中的关键工艺之一。高性能MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面。因此,探究MCT表面钝化技术具有重要意义。国际上,MCT钝化
在长波红外探测器的暗电流分析的基础上,文中基于电压−电流转换法以及电流存储型的背景抑制结构,通过背景信号放大−缩小原理设计了16元的具有背景抑制功能的长波读出电路。
对于MKP62电容器,估计很多人都感觉这个名字很陌生,MKP62到底是什么样的电容器?它有什么特点和作用呢?
本项目主要实现了一个基于PSOC62 CAPSENSE evaluation kit开发板的环境盒子,
高精度24bit ADC-MCT1248
MCT1247是24位高精度ADC,该芯片不仅集成了低噪声PGA、单循环数字滤波器、高精度Δ-Σ AD转换器和内部振荡器等模块,还提供了内置低漂移基准电压以及两个匹配的可编程激励电流源(IDAC)。
将初测合格的640 × 512@ 15 μm规格碲镉汞中波芯片与杜瓦耦合,经高温排气后,配上本公司自研的RS046小型化斯特林制冷机,制备成F数为4的中波红外探测器组件,进行HOT测试。
MIC2164 | MC74ACT640 | MJH6284 | MC74HC112A |
MC74LVXT4053 | MCH3007 | MC100LVEL38 | MCP4726 |
MIC2169B | MCP47FVB12 | MCP9902 | MCP1415 |
MC100LVEL32 | MCP1631V | MBR10100MFS | MJL3281A |
MCP1525 | MCP37211-200 | MC100EP31 | MIC812 |