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    IRF4905PBF

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    产品分类

    场效应管(MOS管)

    三极管及MOS管



    FET配置(电路类型)

    P沟道


    漏源击穿电压V(BR)dss

    55V


    漏极电流(Id, 连续)

    74A(Tc)


    导通电阻 Rds(on)

    20毫欧


    阈值电压Vgs(th)

    4V@250µA


    最大耗散功率

    200W(Tc)


    封装/外壳

    TO-220-3



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    IRF4905PBFInfineonMOSFETs 55V 200W DIP TO220AB 74A P-Channel 立即购买

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