
制造商:ADI/AD
优势和特点
高P1dB输出功率:+28 dBm
高增益:14 dB
高输出IP3:+41 dBm
单电源:+10V(350 mA时)
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸:2.92 x 1.35 x 0.1 mm
产品详情
HMC907A是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器裸片,工作频率范围为0.2 GHz至22 GHz。该自偏置功率放大器提供14 dB增益、41 dBm输出IP3和+28 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗仅350mA(采用+10V电源)。HMC907A在DC至12 GHz范围内提供±0.7 dB的出色增益平坦度,因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。HMC907A放大器I/O内部匹配至50 Ω,方便集成到多芯片模块(MCM)中。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
测试仪器仪表
军事和太空
HMC907A-DIE电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
HMC907A | - | - | 立即购买 |
本文介绍了 die-to-die 连接的几种不同用例,以及在寻找用于 die-to-die 连接的高速 PHY IP 也可以使用基于有机基材的传统低成本封装。
HMC742ALP5E是一款数字控制可变增益放大器,工作频率范围为70 MHz至4 GHz,可通过编程提供-19.5 dB衰减至12 dB增益,步进为0.5 dB。 HMC742A在最大增益状态下的噪声系数为4 dB,任意状态下的输出IP3最高为+39 dBm。
Wafer、die、chip是半导体领域常见的术语,但是为什么单颗裸芯会被称为die呢?
昨夜我们欣赏了AMD二代霄龙处理器的红外线透视照,来自德国硬件媒体HardwareLuxx的大神级人物OC_Burner,但是翻阅资料发现,这并不是他第一次如此对待AMD处理器,此前就已经以同样的方式观察过三代锐龙,但好像没有引起多少人...
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。
Multi-Die设计是一种在单个封装中集成多个异构或同构裸片的方法,虽然这种方法日益流行,有助于解决与芯片制造和良率相关的问题,但也带来了一系列亟待攻克的复杂性和变数。尤其是,开发者必须努力确保
新思科技IP营销和战略高级副总裁John Koeter表示:裸片拆分和分解的趋势下,需要超短和特短距离链接,以实现裸晶芯片之间的高数据速率连接。
HCPL0701 | HMC633-Die | HMC930A-DIE | HMC844 |
HMC-C033 | HMC584 | HMC564LC4 | HMC441-Die |
HMC1121 | HMC6789B | HMC739 | HMC-ALH376 |
HMC-APH460 | HMC7912 | HMC341-Die | HMC365S8G |
H11L2M | HV528 | HMC994A-DIE | HMC635-Die |
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