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    HMC7912

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    GaAs MMIC I/Q上变频器21 GHz至24 GHz

    制造商:ADI/AD

    中文数据手册

    产品信息

    优势和特点

      转换增益:15 dB(典型值)

      边带抑制:22 dBc(典型值)

      针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率:4 dBm(典型值)

      输出三阶交调截点(OIP3):33 dBm(典型值)

      RFOUT上2倍本振(LO)泄漏:5 dBm(典型值)

      中频(IF)输入端2倍LO泄漏:-35 dBm(典型值)

      RF回波损耗:15 dB(典型值)

      LO回波损耗:15 dB(典型值)

      32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

    产品详情

    HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作,前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。

    应用

      点对点和点对多点无线电

      军用雷达、EW和ELINT

      卫星通信

      传感器

    电路图、引脚图和封装图

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