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制造商：ADI/AD
优势和特点
增益： 29 dB
P1dB: +23 dBm
输出IP3： +30 dBm
饱和功率： +24 dBm (27% PAE)
电源电压： +5V (180 mA)
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸： 2.07 x 0.93 x 0.1 mm
产品详情
HMC633是一款GaAs MMIC PHEMT驱动放大器裸片，工作频率范围为5至17 GHz。 该放大器提供高达31 dB的增益，+30 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率（1 dB增益压缩时），功耗为180 mA（+5V电源）。 HMC633驱动放大器非常适合工作频率范围为5至17 GHz的微波无线电应用，电压可偏置为+5V (130 mA)，以提供2 dB较低增益并改善PAE。 隔直HMC633放大器I/O内部匹配50 Ω，方便轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均利用芯片获取，其通过长度至少为0.31 mm (12 mils)的一条1 mil线焊连接输入和输出RF端口。应用点对点无线电
点对多点无线电和VSAT
混频器LO驱动器
军事和太空
随着移动通信技术的发展，系统越趋复杂，同时产品集成度要求也越来越高，系统级封装（SiP）成为了最具潜力的候选方案之一，其将不同制程工艺节点的裸芯片Die集成在一个封装里，在满足器件高性能需求的同时，也减少了芯片设计公司的研发成本和时间。
如今，从数据中心到边缘层，再到万物智能网络的深处，先进的Multi-Die系统实现了前所未有的性能水平。Multi-Die系统不是通用的单体架构芯片，而是由一系列异构芯片（也称“小芯片”）组成，其中
HMC490是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，工作频率范围为12至17 GHz。采用+5V电源时，HMC490提供27 dB增益、2 dB噪声系数和35 dBm输出IP3
是什么推动了Multi-Die系统的发展？由于AI、超大规模数据中心、自动驾驶汽车等应用的高速发展，单片片上系统（SoC）已经不足以满足人们对芯片的需求了。Multi-Die系统是在单个封装中集
简介 半导体行业面临的一个主要挑战是无法在量产阶段早期发现产品缺陷。如果将有缺陷的产品投放市场，将会给企业带来巨大的经济和声誉损失。对超大规模数据中心、网络和 AI 应用的高性能计算片上系统 (SoC) 的设计开发者...
作为半导体制造的后工序，封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。
今年似乎每个人都在讨论Multi-Die（集成多个异构小芯片）系统。随着计算需求激增和摩尔定律放缓，这种将多个异构晶粒或小芯片集成到同一封装系统中的方式，能够为实现苛刻PPA、控制成本以及满足上市
HMC-ALH435 优势性能 HMC-ALH435 特征HMC-ALH435 应用
| HMC7748 | HMC-C037 | HMC736 | HMC329ALC3B |
| HMC994A-DIE | HMC1161 | HMC998A-DIE | HV9803B |
| HMC644A | HMC475 | HMC-C077 | HMC525 |
| HMC252A | HMC674LC3C | HMC847 | HMC601 |
| HMC942 | HV582 | HMC-SDD112 | HMC612 |
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