
制造商:ADI/AD
优势和特点
转换损耗: 10 dB(典型值)
边带抑制: 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率:22 dBc 16 dBm(典型值)
输入三阶交调截点(IP3): 24 dBm(典型值)
输入二阶交调截点(IP2): -5 dBm(典型值)
RFOUT上6倍本振(LO)泄漏: -23 dBm(典型值)
RF回损: 12 dB(典型值)
LO回损: 20 dB(典型值)
裸片尺寸: 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm
产品详情
HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片,工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和22 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者,输入可通过使用针对单边带应用的外部90混合型器件和两个外部180型器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
应用
E频段通信系统
高容量无线回程
测试与测量
HMC8119电路图
HMC8119 引脚图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
HMC8119 | - | - | 立即购买 |
HMC8119-SX | - | - | 立即购买 |
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HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片,工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在
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HMC-VVD102 | HMC525 | HMC306A | HMC1030 |
HMC900 | HMC-AUH256 | HMC264LM3 | HMC590-Die |
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HMC1099 | HMC408 | HMC856 | HMC8108 |
HMC-C040 | HMC313 | HMC705 | HMC463LP5 |
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