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    HMC8119

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    81 GHz至86 GHz,E频段I/Q上变频器

    制造商:ADI/AD

    中文数据手册

    产品信息

    优势和特点

      转换损耗: 10 dB(典型值)

      边带抑制: 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率:22 dBc 16 dBm(典型值)

      输入三阶交调截点(IP3): 24 dBm(典型值)

      输入二阶交调截点(IP2): -5 dBm(典型值)

      RFOUT上6倍本振(LO)泄漏: -23 dBm(典型值)

      RF回损: 12 dB(典型值)

      LO回损: 20 dB(典型值)

      裸片尺寸: 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

    产品详情

    HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片,工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和22 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者,输入可通过使用针对单边带应用的外部90混合型器件和两个外部180型器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。

    应用

      E频段通信系统

      高容量无线回程

      测试与测量

    电路图、引脚图和封装图

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