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制造商：ADI/AD
优势和特点
转换损耗： 11 dB（典型值）
边带抑制： 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率：33 dBc 14 dBm（典型值）
输入三阶交调截点(IP3)： 22 dBm（典型值）
输入二阶交调截点(IP2)： -5 dBm（典型值）
RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -27 dBm（典型值）
RF回损： 6 dB（典型值）
LO回损： 18 dB（典型值）
裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm
产品详情
HMC8118是一款集成E频段的砷化镓(GaAs) 单芯片微波集成电路(MMIC)同相和正交(I/Q)上变频器芯片，工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC8118在整个频段内提供11 dB小信号转换增益和33 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者，输入可使用针对单边带应用的外部90°混合器件和两个外部180°混合器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
应用
E频段通信系统
高容量无线回程
测试与测量
HMC8118 引脚图
HMC8118电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC8118 | - | - | 立即购买 |
| HMC8118-SX | - | - | 立即购买 |
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之间的高效GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC功率放大器。
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点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 HMC混频器LO驱动器 军事和太空
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HMC-ALH435 优势性能 HMC-ALH435 特征HMC-ALH435 应用
HMC-ALH445-DIE 低噪声放大器芯片，18 - 40 GHz 产品应用 HMC-ALH445供应商HMC-ALH445 怎么订货HMC-ALH445 价格 DIE代表裸芯片 数量充足随时可买
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| HMC361S8G | HMC199A | HMC-T2220 | HV219 |
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