优势和特点
噪声系数: 1.4 dB
输出IP3: +29 dBm
增益: 17 dB
故障安全操作: LNA“无电”时,旁路使能
单电源: +3V或+5V
16引脚3x3mm SMT封装: 9mm²
产品详情
HMC669LP3(E)是一款多功能、高动态范围GaAs MMIC低噪声放大器,在IC上集成低损耗LNA旁路模式。 该放大器非常适合接收机和LNA模块,工作频率范围为1.7至2.2 GHz,采用+5V单电源时(86mA)提供1.4 dB的噪声系数、17 dB的增益和+29 dBm的输出IP3。 输入和输出回损性能出色,无需外部匹配元件。 单一控制线路用于切换LNA模式和低损耗旁路模式。 无直流电源可用时,此故障安全拓扑结构还可使能LNA旁路路径。
应用
蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G
BTS和基础设施
中继器和毫微微蜂窝
塔顶放大器
测试和测量设备
HMC669电路图
HMC669电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
HMC669LP3TR | API | 680 nH 无屏蔽 电感器 475 mA 210 毫欧最大 2-SMD | 立即购买 |
HMC669LP3ETR | FH | 排阻/电阻网络 RA_0603X4 680Ω ±5% ±100ppm/℃ | 立即购买 |
HMC669LP3 | KOA | 贴片电阻 0603 825Ω ±0.5% 1/10W ±10ppm/℃ | 立即购买 |
HMC669LP3E | Infineon | MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220 | 立即购买 |
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