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制造商：ADI/AD
优势和特点
转换增益：15 dB（典型值）
边带抑制：22 dBc（典型值）
增益最大时的输出 P1dB 压缩：22 dBm（典型值）
增益最大时的输出 IP3：35 dBm（典型值）
LO 到 RF 隔离：4 dB（典型值）
LO 到 IF 隔离：9 dB（典型值）
RF 回波损耗：20 dB（典型值）
LO 回波损耗：10 dB（典型值）
IF 回波损耗：20 dB（典型值）
裸焊盘，5 mm × 5 mm，32 端子，无引线芯片载体封装
产品详情
HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封装的紧凑型砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 升频器，工作频率范围为 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信号转换增益，以及 22 dBc 的边带抑制。HMC6505A 在可变增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混频器，该混频器由主动本地振荡器 (LO) 驱动。提供 IF1 和 IF2 混频器输入，并需要采用外部 90° 混合模式选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不必要的边带进行过滤的需要。HMC6505A 是混合式单边带 (SSB) 升频器组件的小型替代方案，它可以使用表面安装制造技术，这消除了对引线键合的需要。
HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子无引线芯片载体 (LCC) 封装，可在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。HMC6505A 的评估板还可按需提供。
应用
点到点和单点对多点无线电
军用雷达、电子战 (EW) 和电子智能 (ELINT)
卫星通信
传感器
HMC6505A电路图
HMC6505A 引脚图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC6505ALC5TR-R5 | - | - | 立即购买 |
| HMC6505ALC5TR | - | - | 立即购买 |
| HMC6505ALC5 | - | - | 立即购买 |
机器和模块的快速安装以及不中断运行情况下的任意重新配置和操作能力是生产灵活性的核心要求之一。Han® ES Press HMC系列让浩亭打造出能够无需工具即可进行快速安装并且极为可靠耐用的接口，其至少可承受10000次插拔操作。
HMC544A和HMC544AE是6引脚SOT26封装中的低成本SPDT交换机，用于在中等功率水平下需要非常低插入损耗的发射-接收应用。
半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造的90°混合器。HMC520AHMC520A是混合型图像拒绝器的一个较小的替代品。混频器和单边带上变频器组件的较小替代品。
HMC742ALP5E是一款数字控制可变增益放大器，工作频率范围为70 MHz至4 GHz，可通过编程提供-19.5 dB衰减至12 dB增益，步进为0.5 dB。 HMC742A在最大增益状态下的噪声系数为4 dB，任意状态下的输出IP3最高为+39 dBm。
HMC773A是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作6 GHz至26 GHz频率范围的上变频器或下变频器。
HMC906ACHIPS 是一款四级 GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器，工作频段介于 27.3 和 33.5 GHz 之间。HMC906A 采用 +6V 电源，可以提供 28 dB 的增益以及 +33.5 dBm 的饱和输出功率和 20% PAE。
HMC-ALH444供应商HMC-ALH444怎么订货HMC-ALH444价格HMC-ALH444是一款GaAsMMICHEMT低噪声宽带放大器芯片，可在1至12GHz之间运行。该放大器在1dB增益
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
| HMC8113 | HMC550A | HMC557A | HMC634-Die |
| HMC407 | HBL5006 | HMC1166 | HMC440 |
| HMC8038 | HMC-C074 | HMC492 | HV582 |
| HMC580 | HMC6300 | HMC-C026 | HMC252 |
| HMC966 | HMC-C041 | HMC576LC3B | HMC-APH460 |
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