制造商:ADI/AD
优势和特点
高输出功率: +17 dBm
低输入功率驱动: -2至+6 dBm
FO、3FO隔离: 15 dBc
100 KHz SSB相位噪声: -140 dBc/Hz
单电源: +5V (90 mA)
符合RoHS标准的4x4 mm SMT封装
产品详情
HMC575LP4(E)是一款x2有源宽带倍频器,使用GaAs PHEMT技术,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由3 dBm信号驱动时,该倍频器提供+17 dBm的典型输出功率,在6至9 GHz的频率下工作。 相对于输出信号电平,Fo和3Fo隔离为15 dBc。
这款倍频器具有隔直的I/O,非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用,与传统方法相比,可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-140 dBc/Hz,有助于保持良好的系统噪声性能。 HMC575LP4(E)可兼容表面贴装制造技术。
应用
无线本地环路
点对点和VSAT无线电
测试仪器仪表
军事和太空
HMC575电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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HMC575LP4TR | - | - | 立即购买 |
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HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之间的高效GaAs InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMIC功率放大器。
HMC575LP4和HMC575LP4E是x2个有源宽带倍频器,采用无引线RoHS兼容SMT封装中的GaAs PHEMT技术。当由3dBm信号驱动时,乘法器提供从6到9GHz的+17dBm典型输出功率。Fo和3Fo隔离相对于输出信号电平为15dBc。
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HMC-ALH435 优势性能 HMC-ALH435 特征HMC-ALH435 应用
HMC260ALC3B | HMC870 | HMC732 | HMC842 |
HMC218B | HMC735 | HMC396 | HMC7044 |
HV2662 | HMC6545 | HMC578LC3B | HMC653-Die |
HMC565-Die | HMC397 | HMC713LP3E | HMC-C028 |
HMC874 | HMC613 | HMC7054 | HV2201 |