制造商:ADI/AD
优势和特点
增益: 22 dB
P1dB: +23 dBm
输出IP3: +31 dBm
饱和功率: 24 dBm (23% PAE)
电源电压: +5 V (180 mA)
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸: 2.07 x 0.97 x 0.10 mm
产品详情
HMC634是一款GaAs MMIC PHEMT驱动放大器裸片,工作频率范围为5至20 GHz。 该放大器提供高达22 dB的增益,+31 dBm输出IP3及高达+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为180 mA(+5V电源)。 HMC634驱动放大器非常适合工作频率范围为5至20 GHz的微波无线电应用,电压可偏置为+5V (130 mA),以提供2 dB较低增益并改善PAE。 隔直HMC634放大器I/O内部匹配50 Ω,方便轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均利用芯片获取,其通过长度至少为0.31 mm (12 mils)的一条1 mil线焊连接输入和输出RF端口。 Applications
点对点无线电
点对多点无线电和VSAT
混频器用LO驱动器
军事和太空
MOSAID Technologies今天宣布,他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的 NAND闪存芯片,让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。
SK海力士近日悄然在其产品目录中增加了16Gb(2GB)容量的单Die DDR4内存颗粒,不仅可以使用更少的芯片打造大容量内存条,还为单条256GB内存条铺平了道路。
Multi-Die系统的基础构建,亦是如此,全部都需要细致入微的架构规划。 对于复杂的Multi-Die系统而言,从最初就将架构设计得尽可能正确尤为关键。 Multi-Die系统的出现,是为了应对设计规模增加和系统复杂性给摩尔定律有效性带来的挑战。Mult
第一款即将于今年秋天推出的VR体验是基于《无敌破坏王2:大闹互联网》改编而成,被命名为“Ralph Breaks VR”。而第二款体验则是根据一部即将在2019年上映的尚未公开的漫威电影改编,目前还未公布确切信息。漫威将于2019年推...
三月份首次公开展示之后,三星电子今天宣布,已经全球第一个开始量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条,主要面向企业和云服务应用。
SFH6315T SFH6316T SFH6343T开关测试电路及波形电路图
在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技术,Intel的单Die升级到了512Gb,不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES 2018上才知晓。
SFH6345抗共模瞬变干扰及波形电路图
HMC952A | HMC591LP5 | HMC344A | HMC1081 |
HMC778 | HMC265LM3 | HMC-C037 | HMC1060 |
HMC320 | HCPL0531 | HMC402 | HMC807 |
HMC733 | HV9112 | HMC215 | HMC8410-DIE |
HMC-ALH444 | HMC342-Die | HMC953 | HMC-AUH249 |