
制造商:ADI/AD
优势和特点
转换增益:12 dB
边带抑制:25 dBc
2LO至RF隔离:15 dB
高输出IP3:+27 dBm
16引脚5x5 mm陶瓷封装:25 mm²
产品详情
HMC6146BLC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q可变增益上变频器,采用无引脚RoHS兼容型SMT封装。 该器件提供12 dB小信号转换增益,具有25 dBc边带抑制和17 db增益控制。 HMC 6146BLC5A采用RF可变增益放大器,在其之前为一个I/Q混频器,LO由X2倍频器驱动。 提供IF1和IF2混频器输入,并且可通过外部90°混合选择所需边带。
I/Q混频器拓扑降低了针对干扰边带进行滤波的要求。 HMC6146BLC5A是一款更小巧、可以代替混合单边带上变频器的产品,支持表贴制造技术,无需线焊。
应用
点对点与点对多点无线电
军用雷达、EW与ELINT
卫星通信
传感器
HMC6146B电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
HMC6146BLC5ATR-R5 | - | - | 立即购买 |
HMC6146BLC5A | - | - | 立即购买 |
HMC6146BLC5ATR | - | - | 立即购买 |
和B兼容CMOS和一些TTL逻辑系列。 这些产品在形式、装配和功能方面可替代HMC595和HMC595E,同时提供出色的电气性能。
HMC221B是一款单刀双掷(SPDT)开关,额定频率范围为10 kHz至3 GHz,采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关提供低于0.8 dB的极低插入损耗(频率高达3 GHz时),非常适合要求低插入损耗和小尺寸的接收器和滤波器开关应用。
HMC347B 是一款宽频、非反射、砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单刀双掷 (SPDT)、单片微波集成电路 (MMIC) 芯片。因为采用片内通孔结构,该交换芯片
HMC543ALC4B是一款4位数字移相器,额定工作频率范围为8至12 GHz,提供0至360度的相位覆盖,具有22.5度的LSB。HMC543ALC4B在所有相态具有4度的极低RMS相位误差
HMC260ALC3B是一款通用型双平衡、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。在10 GHz至26 GHz频率范围内可用作上变频器或下变频器。HMC260ALC3B混频器无需外部元件或匹配电路。
HMC774ALC3B是一款通用型双平衡混频器,采用无铅RoHS兼容型表贴封装,可用作7 GHz至34 GHz范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC774ALC3B采用经过优化的巴伦结构,提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能。
HMC553ALC3B是一款通用型双平衡、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。HMC553ALC3B可用作频率范围为6 GHz至14 GHz的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。
HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元
HMC491 | HMC440 | HMC653-Die | HMC7056 |
HMC349AMS8G | HMC412B | HMC594LC3B | HMC1133 |
HMC608 | HMC602 | HMC571LC5 | HMC-C016 |
HV2809 | HMC498LC4 | HMC960 | HMC8121 |
HMC594-Die | HMC490-Die | HMC519-Die | HMC448-Die |
元器件业务:
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