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    HMC349AMS8G

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    高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关,100 MHz至4 GHz

    制造商:ADI/AD

    产品信息

    优势和特点

      非反射式50 Ω设计

      高隔离度:57 dB至2 GHz

      低插入损耗:0.9 dB至2 GHz

      高输入线性度

      1 dB功率压缩(P1dB):34 dBm(典型值)

      三阶交调截点(IP3):52 dBm(典型值)

      高功率处理

      33.5 dBm(通过路径)

      26.5 dBm端接路径 单正电源:3 V至5 V

      CMOS/TTL兼容控制

      全部关断状态控制

      带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)

    产品详情

    HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关,额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。

    HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用,可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。

    HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电,提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。

    应用

      蜂窝/4G基础设施

      无线基础设施

      移动无线电

      测试设备

    电路图、引脚图和封装图

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