购物车0
购物车元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}
国内交货{{ gnNumber }}香港交货{{ hkNumber }}
购物车中还没有商品，赶紧选购吧
制造商：ADI/AD
优势和特点
增益： 22 dB
饱和输出功率：+22 dBm (24% PAE)
输出IP3： +30 dBm
单正电源： +5V (127 mA)
50 Ω匹配输入/输出
小尺寸： 1.35 x 1.35 x 0.1 mm
产品详情
HMC451是一款通用型GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为5至20 GHz。 该放大器提供22 dB增益，饱和功率为+22 dBm，电源电压为+5V (24% PAE)。 在整个工作频带内具有一致的增益和输出功率，因而可以在多个无线电频段使用一个通用的驱动器/LO放大器。
由于尺寸较小(1.82mm²)、采用单电源工作和隔直I/O，HMC451放大器可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度<0.31mm (<12 mils)的焊线连接。
点对点无线电
点对多点无线电和VSAT
测试设备和传感器
HMC混频器LO驱动器
军事和太空
是什么推动了Multi-Die系统的发展？由于AI、超大规模数据中心、自动驾驶汽车等应用的高速发展，单片片上系统（SoC）已经不足以满足人们对芯片的需求了。Multi-Die系统是在单个封装中集
作为半导体制造的后工序，封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。
简介 半导体行业面临的一个主要挑战是无法在量产阶段早期发现产品缺陷。如果将有缺陷的产品投放市场，将会给企业带来巨大的经济和声誉损失。对超大规模数据中心、网络和 AI 应用的高性能计算片上系统 (SoC) 的设计开发者...
三星B-Die DDR4内存颗粒堪称一段行业传奇，无论厂商还是高端玩家、发烧友都非常喜欢它，其出色的性能和超频性备受青睐，几乎成了高端内存条的标配。
AMD不久前刚刚发布了代号Rome（罗马）第二代EPYC霄龙处理器，拥有7nm工艺和Zen 2架构，而且采用了chiplet小芯片设计，集成最多八个CPU Die和一个IO Die设计非常独特。
可能你偶尔会听见硬件工程师，或者芯片设计工程师讲述一些专业名词，比如今天说的wafer、die、cell等。
2D芯片设计中通常为二阶或三阶的效应，在Multi-Die系统中升级为主要效应。
在当今时代，摩尔定律带来的收益正在不断放缓，而Multi-Die系统提供了一种途径，通过在单个封装中集成多个异构裸片（小芯片），能够为计算密集型应用降低功耗并提高性能。
| HMC6147A | HMC-MDB277 | HMC510 | HMC-C043 |
| HMC562 | HMC253AQS24 | HV9110 | HMC219B |
| HMC531 | HMC292A-Die | HMC-T2270 | HMC1120 |
| HMC606-Die | HMC533 | HMC554ALC3B | HMC338LC3B |
| HMC627A | HMC739 | HMC7229 | HMC347A-Die |
上传BOM
工商网监