制造商:ADI/AD
优势和特点
超低SSB相位噪声: -153 dBc/Hz
宽带宽
输出功率: -6 dBm
单直流电源: +5V
小尺寸: 1.45 x 0.69 x 0.1 mm
产品详情
HMC363是低噪声的8分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.45 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至12 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-153 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。
应用
卫星通信系统
光纤产品
点对点无线电
点对多点无线电
VSAT
HMC363-DIE电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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HMC363 | - | - | 立即购买 |
HMC363-SX | - | - | 立即购买 |
DDR4的单、双DIE兼容仿真案例
多Die(晶粒)系统由多个专用功能晶粒(或小芯片)组成,这些晶粒组装在同一封装中,以创建完整的系统。多晶粒系统最近已经成为克服摩尔定律放缓的解决方案,生产保证较高良率,提供一种扩展封装后芯片功能的方法。
本文介绍了 die-to-die 连接的几种不同用例,以及在寻找用于 die-to-die 连接的高速 PHY IP 也可以使用基于有机基材的传统低成本封装。
但是,Multi-Die系统开发本身也有挑战,验证方面尤其困难重重。验证过程必须非常详尽,才能发现严重错误并实现高性能设计。因此,2.5D或3D芯片技术对验证过程的影响可能超乎人们的想象。
Multi-Die系统的基础构建,亦是如此,全部都需要细致入微的架构规划。 对于复杂的Multi-Die系统而言,从最初就将架构设计得尽可能正确尤为关键。 Multi-Die系统的出现,是为了应对设计规模增加和系统复杂性给摩尔定律有效性带来的挑战。Mult
随着移动通信技术的发展,系统越趋复杂,同时产品集成度要求也越来越高,系统级封装(SiP)成为了最具潜力的候选方案之一,其将不同制程工艺节点的裸芯片Die集成在一个封装里,在满足器件高性能需求的同时,也减少了芯片设计公司的研发成本和时间。
如今,从数据中心到边缘层,再到万物智能网络的深处,先进的Multi-Die系统实现了前所未有的性能水平。Multi-Die系统不是通用的单体架构芯片,而是由一系列异构芯片(也称“小芯片”)组成,其中
简介 半导体行业面临的一个主要挑战是无法在量产阶段早期发现产品缺陷。如果将有缺陷的产品投放市场,将会给企业带来巨大的经济和声誉损失。对超大规模数据中心、网络和 AI 应用的高性能计算片上系统 (SoC) 的设计开发者...
HMC455 | HV9803B | HMC812A | HMC-C021 |
HMC511 | HMC213B | HMC444 | HMC966 |
HMC7586 | HMC1086F10 | HMC358 | HMC963 |
HMC1023 | HMC966 | HMC5805 | HMC688 |
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