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    HMC1113

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    GaAs MMIC I/Q下变频器,10 - 16 GHz

    制造商:ADI/AD

    中文数据手册

    产品信息

    优势和特点

      转换增益:12 dB

      镜像抑制:25 dBc

      LO至RF隔离:45 dB

      噪声系数:1.8 dB

      IP3:1 dBm

      32引脚5 x 5 mm SMT封装

    产品详情

    HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器,并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出,所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC1113LP5E为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。

    应用

      点对点和点对多点无线电

      军用雷达、EW和ELINT

      卫星通信

      海事和移动无线电

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