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制造商：ADI/AD
优势和特点
无源： 无需直流偏置
高输入IP3： +22 dBm
高LO/RF隔离： 35 dB
宽IF带宽： DC - 10 GHz
上变频和下变频应用
裸片尺寸： 1.36 x 0.96 x 0.1 mm
产品详情
HMC774A是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作7至43 GHz频率范围的上变频器或下变频器。 此混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC774A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能。 该混频器采用+13 dBm的LO驱动电平工作。 HMC774A宽带混频器具有一致的转换增益和带宽抑制性能。 HMC774A还可作为SMT形式的HMC774ALC3B提供。
应用 s
点对点无线电
点对多点无线电和VSAT
测试设备和传感器
军用最终用途
HMC774A-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC774A-SX | - | - | 立即购买 |
| HMC774A | - | - | 立即购买 |
随着移动通信技术的发展，系统越趋复杂，同时产品集成度要求也越来越高，系统级封装（SiP）成为了最具潜力的候选方案之一，其将不同制程工艺节点的裸芯片Die集成在一个封装里，在满足器件高性能需求的同时，也减少了芯片设计公司的研发成本和时间。
三星B-Die DDR4内存颗粒堪称一段行业传奇，无论厂商还是高端玩家、发烧友都非常喜欢它，其出色的性能和超频性备受青睐，几乎成了高端内存条的标配。
AMD不久前刚刚发布了代号Rome（罗马）第二代EPYC霄龙处理器，拥有7nm工艺和Zen 2架构，而且采用了chiplet小芯片设计，集成最多八个CPU Die和一个IO Die设计非常独特。
DDR4的单、双DIE兼容仿真案例
Multi-Die系统的基础构建，亦是如此，全部都需要细致入微的架构规划。 对于复杂的Multi-Die系统而言，从最初就将架构设计得尽可能正确尤为关键。 Multi-Die系统的出现，是为了应对设计规模增加和系统复杂性给摩尔定律有效性带来的挑战。Mult
HMC773A是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作6 GHz至26 GHz频率范围的上变频器或下变频器。
HMC906ACHIPS 是一款四级 GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器，工作频段介于 27.3 和 33.5 GHz 之间。HMC906A 采用 +6V 电源，可以提供 28 dB 的增益以及 +33.5 dBm 的饱和输出功率和 20% PAE。
在当今时代，摩尔定律带来的收益正在不断放缓，而Multi-Die系统提供了一种途径，通过在单个封装中集成多个异构裸片（小芯片），能够为计算密集型应用降低功耗并提高性能。
| HMC679 | HMC582 | HMC397 | HMC902-Die |
| HMC-C053 | HMC505 | HMC-C079 | HMC651 |
| HMC6832 | HV507 | HMC432 | HMC877 |
| HMC-C582 | HMC930A-DIE | H11F1M | HMC656-Die |
| HMC547ALP3E | HV850 | HMC-C041 | HMC329ALC3B |
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