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制造商：ADI/AD
优势和特点
高输出功率： +16 dBm
低输入功耗驱动： 0至+6 dBm
Fo隔离： >20 dBc（Fout = 24 GHz时）
100 kHz SSB相位噪声： -132 dBc/Hz
单电源： +5V (82 mA)
密封模块
可现场更换的2.92mm连接器
工作温度范围为-55至+85℃
产品详情
HMC-C032是一款x2有源宽带倍频器，采用GaAs PHEMT技术，封装在微型密封模块中。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+16 dBm的典型输出功率。 在24 GHz的频率下，Fo和3Fo隔离大于20 dBc。 HMC-C032非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。
应用
时钟生成应用： SONET OC-192和SDH STM-64
点对点和VSAT无线电
测试仪器仪表
军事和太空
HMC-C032电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC-C032 | - | - | 立即购买 |
Holtek针对语音应用推出I/O语音OTP MCU HT68RV032/HT68RV033/HT68RV034，最大特点为内建2/4/8Mbit Voice Flash ROM，语音可重复更新，直至达到85/170/340秒语音。
M032SG6AE 是基于 Arm Cortex-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 72 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备256 KB
MM32F032系列MCU带有1路硬件I2C接口，支持标准模式（数据传输速率为0~100kbps）和快速模式（数据最大传输速率为400kbps）两种工作速率模式。
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MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代
Jlink 调试笙泉 MG32F02A032
M032LG6AE 是基于 Arm Cortex-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 72 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备256 KB
M032SE3AE 是基于 Arm Cortex-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备128 KB
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| HMC305S | HMC948 | HMC-C023 | HMC6545 |
| HMC430 | HMC-APH518 | HMC329A-Die | HMC-C071 |
| HMC8113 | HMC669 | HCPL0701 | HMC554ALC3B |
| HMC-C073 | HMC533 | HMC424A-DIE | HMC356 |
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