FFSP0865A

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SiC Diode - 650V, 8A, TO-220-2

制造商：ON

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产品信息

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology thatprovides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermalperformance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Max Junction Temperature 175 °C
High Surge Current Capacity
Positive Temperature Coefficient
No Reverse Recovery / No Forward Recovery

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技术资料

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Silicon Carbide Schottky Diode	PDF	415	点击下载
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