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    FDV301N

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     N沟道数字FET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    此N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计,以替代数字晶体管。 由于不需要偏压电阻,这一N沟道FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
    • 25 V,0.22 A持续电流,0.5 A峰值电流。 RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V,RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。
    • 栅极驱动电平要求极低,从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
    • 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
    • 使用一个DMOS FET代替多个NPN数字晶体管。

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    FDV301N-F169-- 立即购买
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    技术资料

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    SOT-23PDF32 点击下载
    N-Channel,Digital FETPDF295 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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