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    FDS8984_F085

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     30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平

    制造商:ON

    产品信息

    此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 r
    和高速开关进行了优化。
    • 最大 r
    • = 23 mΩ、V
    • = 10 V、I
    • = 7 A
    • V
    • = 4.5V,ID = 6A时,最大r
    • = 30m
    • 低栅极电荷
    • 100%经过RG测试
    • 符合 AEC Q101 标准
    • 符合 RoHS 标准

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    技术资料

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    N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 7A, 23mΩPDF423 点击下载
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    Maximum Power Enhancement Techniques for SO-8 Power MOSFETsPDF354 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载

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