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    FDZ1905PZ

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     -20V共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench® WL-CSP MOSFET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    该器件专门设计为单封装解决方案,适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 FDZ1905PZ采用飞兆先进的1.5V PowerTrench
    工艺和最新¡°低间距¡± WL-CSP封装工艺设计而成,具有两个共用漏极P沟道MOSFET,可提供双向电流,最大限度地减小了PCB空间和r
    。 先进的WL-CSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展,使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。
    • 最大 r
    • = 126mΩ(V
    • = -4.5V,I
    • = -1A 时)
    • 最大 r
    • = 141mΩ(V
    • = -2.5V,I
    • = -1A 时)
    • 最大 r
    • = 198mΩ(V
    • = -1.8V,I
    • = -1A 时)
    • 最大r
    • = 303mΩ(V
    • = -1.5V,I
    • = -1A 时)
    • 仅占1.5mm²的PCB空间,比2 x 2 BGA所占空间少50%
    • 超薄封装: 安装至PCB时,高度小于0.65 mm
    • 高功率和高电流处理能力
    • HBM静电放电保护等级为>4kV(注3)
    • 符合 RoHS 标准

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    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    PCB Land Pattern Design and Surface Mount Guidelines for MicroFET™ PackagesPDF213 点击下载
    PSPICEUNKNOW162 点击下载
    WLCSP6 1.5x1x0.6PDF38 点击下载
    FDZ1905PZ-D.pdfPDF283 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载

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