DN3525 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
DN3525 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DN3525N8-G | SiTime | 有源晶振 ±50ppm 2.5V 150MHz SMD-4 | 立即购买 |
Frank Xiao DC/DC变换器控制芯片UC3525寿命已经超过20年,依然是市面上最常见的PWM(pulse width modular)控制器之一,集成了控制补偿环路,PWM驱动电路
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