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DN2540 is alow threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
DN2540 封装图
DN2540 封装图
DN2540 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DN2540N3-G-P003 | EDAC | 895 SERIES (.100" (2.54MM) CONTA | 立即购买 |
| DN2540N8-G | SUNTSU | 无源晶振 120Ω 12pF ±50ppm -20℃~+70℃ SMD2520_4P 14.31818MHz | 立即购买 |
| DN2540N5-G | Bivar | LEDENGINEC5500RED24"STRIP | 立即购买 |
| DN2540N3-G | LED Engin | LEDEMITTERVIOLETSTARMCPCB | 立即购买 |
N32901U1DN使用ARM926EJ-S内核，其内部集成的JPEG编解码器、CMOS摄像头接口、32 通道的声音处理单元(SPU)、ADC、DAC等不仅可以满足各种的应用需求，还能减少生产方面
N32903U1DN使用ARM926EJ-S内核，其内部集成的JPEG编解码器、CMOS摄像头接口、32通道的声音处理单元(SPU)、ADC、DAC等不仅可以满足各种的应用需求，还能减少生产方面
镜头DG和DN之间存在几个主要区别，包括设计、适用范围和使用目的等方面。下面将从这些方面详细介绍它们之间的区别，以及每种镜头的优点和缺点。 一、设计差异 外观设计：DG（Digital）镜头和DN
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N32901U2DN使用ARM926EJ-S内核，其内部集成的JPEG编解码器、CMOS摄像头接口、32通道的声音处理单元(SPU)、ADC、DAC和TV编码器等不仅可以满足各种的应用需求，还能
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