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特点
•低电压和标准电压工作
– 5.0 （VCC= 4.5V至5.5V ）
– 2.7 （VCC= 2.7V至5.5V ）
– 2.5 （VCC= 2.5V至5.5V ）
– 1.8 （VCC= 1.8V至5.5V ）
低功耗器件（我SB= 2µA @ 5.5V ）可
内部分为4096 ×8 ， 8192 ×8
2线串行接口
施密特触发器滤波输入抑制噪声
双向数据传输协议
100千赫（ 1.8V ， 2.5V ， 2.7V ）和400 kHz （ 5V ）的兼容性
写保护引脚用于硬件数据保护
32字节页写模式（部分页写允许）
自定时写周期（最大10 ms ）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
- ESD保护： 》3，000V
提供汽车级和扩展级温度装置
8引脚PDIP JEDEC ， 8引脚和14引脚SOIC JEDEC ， 8引脚SOIC EIAJ ，
和8引脚TSSOP封装
AT24C32E-XHM-T电路图
AT24C32E-XHM-T 引脚图
AT24C32E-XHM-T 封装图
AT24C32E-XHM-T 封装图
AT24C32E-XHM-T 封装图
AT24C32E-XHM-T 封装图
AT24C32E-XHM-T 封装图
本应用笔记提供了使用达拉斯半导体/Maxim通信产品T1/E1单芯片收发器（SCT）和T1/E1成帧器的小数T1和E1电路设计示例。
本文主要介绍了一下目前市场上面24C02几种打线方式的区别，有利于消费者在芯片选型替代、电路设计、软件编程的注意一些细节，另外就是给出了用C语言软件模拟I2C协议和用汇编语言软件模拟I2C协议对24C02进行存取数据的代码
技术提问 Q1： 虽说Si24R2E布局走线非常简单，是否有提供建议参考，可以避免一些误区？ A1： 有的。芯片数据手册上有标准的参考原理图，同时我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》，避免
AT24C08 是串行CMOS类型的EEPROM存储芯片，AT24C0x这个系列包含了AT24C01、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16这些具体的芯片型号。
24c02读写程序(已通过测试),24C02 read / write process 关键字：24c02读写程序(已通过测试
24C02读写操作程序设计实例,24C02 read / write process 关键字：24C02读写操作程序设计实例 24C
#defineWriteDeviceAddress0x0A2//定义器件在I2C总线中的写地址（注意：根据自定义从机地址接口改变） #defineReadDviceAddress0x0A3//定义器件在I2C总线中的读地址（注意：根据自定义从机地址接口改变） sbitSCL=P0^4;//我的24C32接口设置
采用正弦波FOC控制，基于GD32E230C8T6主控芯片和GD30DR8306KU驱动芯片是24V滑板车系统性价比极高的方案，其中GD32E230C8T6提供电机驱动的MCU平台，而GD30DR8306驱动芯片
| ADP2291 | ADR3512 | ADXRS652 | ADP2504 |
| AD795 | AD8130 | AD8016 | ADG201HS |
| ADP1650 | ADL5535 | AD5308 | ADS8684A |
| ADA4004-4 | ADM1191 | AD5206 | ATMEGA48V-10AU |
| ATMEGA328P-AU | AD5627 | AD8426 | AD5665 |
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