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特点
•低电压和标准电压工作
– 5.0 (VCC= 4.5V至5.5V )
– 2.7 (VCC= 2.7V至5.5V )
– 2.5 (VCC= 2.5V至5.5V )
– 1.8 (VCC= 1.8V至5.5V )
低功耗器件(我SB= 2µA @ 5.5V )可
内部分为4096 ×8 , 8192 ×8
2线串行接口
施密特触发器滤波输入抑制噪声
双向数据传输协议
100千赫( 1.8V , 2.5V , 2.7V )和400 kHz ( 5V )的兼容性
写保护引脚用于硬件数据保护
32字节页写模式(部分页写允许)
自定时写周期(最大10 ms )
高可靠性
- 耐力: 100万次擦写循环
- 数据保存:100年
- ESD保护: 》3,000V
提供汽车级和扩展级温度装置
8引脚PDIP JEDEC , 8引脚和14引脚SOIC JEDEC , 8引脚SOIC EIAJ ,
和8引脚TSSOP封装
AT24C32E-XHM-T电路图
AT24C32E-XHM-T 引脚图
AT24C32E-XHM-T 封装图
AT24C32E-XHM-T 封装图
AT24C32E-XHM-T 封装图
AT24C32E-XHM-T 封装图
AT24C32E-XHM-T 封装图
本应用笔记提供了使用达拉斯半导体/Maxim通信产品T1/E1单芯片收发器(SCT)和T1/E1成帧器的小数T1和E1电路设计示例。
本文主要介绍了一下目前市场上面24C02几种打线方式的区别,有利于消费者在芯片选型替代、电路设计、软件编程的注意一些细节,另外就是给出了用C语言软件模拟I2C协议和用汇编语言软件模拟I2C协议对24C02进行存取数据的代码
技术提问 Q1: 虽说Si24R2E布局走线非常简单,是否有提供建议参考,可以避免一些误区? A1: 有的。芯片数据手册上有标准的参考原理图,同时我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》,避免
AT24C08 是串行CMOS类型的EEPROM存储芯片,AT24C0x这个系列包含了AT24C01、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16这些具体的芯片型号。
24c02读写程序(已通过测试),24C02 read / write process 关键字:24c02读写程序(已通过测试
24C02读写操作程序设计实例,24C02 read / write process 关键字:24C02读写操作程序设计实例 24C
#defineWriteDeviceAddress0x0A2//定义器件在I2C总线中的写地址(注意:根据自定义从机地址接口改变) #defineReadDviceAddress0x0A3//定义器件在I2C总线中的读地址(注意:根据自定义从机地址接口改变) sbitSCL=P0^4;//我的24C32接口设置
采用正弦波FOC控制,基于GD32E230C8T6主控芯片和GD30DR8306KU驱动芯片是24V滑板车系统性价比极高的方案,其中GD32E230C8T6提供电机驱动的MCU平台,而GD30DR8306驱动芯片
ATMEGA32U2-MU | ADCMP561 | ADSP-CM413F | ADG726BCPZ |
ADA4806-1 | AD734 | AD624 | AD8275 |
AD7854 | ADUM5240 | AD7453 | A1223LUA-T |
ADM8660 | AD7153 | ADM8319 | AD7985 |
AD9850 | AD9218 | ADAU1463 | ADP191 |