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制造商：ADI/AD
优势和特点
温度系数(TC)：2 ppm/°C（最大值）
输出噪声(0.1 – 10 Hz)：< 1.0μVp-p （2.048 VOUT典型值）
初始输出电压误差：±0.02%（最大值）
输入电压范围：3V 至15 V
工作温度范围：-40 ℃ – +125 ℃
输出电流：+10 mA源电流/ -10 mA吸电流
低静态电流：950 μA（最大值）
SOIC-8封装
产品详情
ADR45xx系列器件是高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为± 0.02%，具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列基准电压源使用新的内核拓扑结构来提高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。低热致输出电压迟滞和低长期输出电压漂移也提高了寿命和温度范围内的系统精度。
950 μA的最大工作电流使该器件可用于便携式设备。
ADR45xx系列基准电压源可提供较宽的输出电压范围，采用SOIC封装，所有器件的额定温度范围均为-40°C至+125 °C扩展工业温度范围。
应用-精密数据采集系统-高分辨率数据转换器-高精度测量器件-工业仪器仪表-医疗设备-汽车电池监控
ADR4520电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR4520BRZ-R7 | - | - | 立即购买 |
| ADR4520BRZ | - | - | 立即购买 |
| ADR4520ARZ-R7 | - | - | 立即购买 |
| ADR4520ARZ | - | - | 立即购买 |
2月22日，@Redmi红米手机 不仅公布了K40的外观造型，同时还公布了该系列手机又一项重要配置。官方表示K40双旗舰全系标配4520mAh大电池。这意味着这次发布的K40系列手机将会拥有非常不错的续航表现。
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
| AD9517-0 | AD8133 | AD8188 | ADF7030 |
| AD7194 | AD7091R-2 | AD5282 | ADA4000-4 |
| AD9911 | ADM8832 | ADCMP565 | ADL5513 |
| AD624 | ADG5213 | ADM706 | ADL5536 |
| ADSP-BF523C | ADRF6601 | ADG528F | AD9773 |
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