制造商:ADI/AD
优势和特点
电源关闭时所有开关断开
如果发生过压,接通通道的模拟输出将箝位在电源电压范围内
无闩锁设计
故障和过压保护:-40 V、+55 V
快速开关时间接通时间:250 ns(最大值)断开时间:150 ns(最大值)
先开后合式设计
TTL和CMOS兼容型输入
16引脚DIP/SOIC封装
产品详情
ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器;ADG438F内置8个单通道,ADG439F内置4个差分通道,而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下,当电源关闭时,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路,而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。
ADG438F根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址,将8路输入之一切换至公共输出。ADG439F根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。各器件均提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。
产品聚焦故障保护。ADG438F和ADG439F可以耐受最大−40 V或+55 V的连续电压输入。当因电源关闭而发生故障时,所有通道均关闭,泄漏电流仅有几nA。
存在故障时,接通通道饱和。
低导通电阻。
快速开关时间。
先开后合式开关动作。保证先开后合式开关动作,从而保护输入信号不受瞬时短路影响。
沟道隔离可消除闩锁。电介质沟道将p沟道与n沟道MOSFET分开,从而有效防止闩锁现象。
改进关断隔离。沟道隔离增强了ADG438F/ADG439F的通道间隔离性能。
应用数据采集系统
工业和过程控制系统
航空电子测试设备
系统间信号路由
高可靠性控制系统
ADG439F 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADG439FBRZ | - | - | 立即购买 |
ADG439FBRWZ | - | - | 立即购买 |
ADG439FBR | - | - | 立即购买 |
ADG439FBNZ | - | - | 立即购买 |
ADG439FBR-REEL | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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ADP196 | ADP1710AUJZ-R7 | AD7306 | ATMEGA8A-PU |
ADRF6807 | ADR4533 | ADN8834 | AD8397 |
AT30TS74 | AD8370 | AD8382 | ADXRS646 |
ADuM250N | AD8130 | ADSP-BF527C | ADS8332 |
AD8293G160 | AD8151 | ADUM2201 | AD766 |