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制造商：ADI/AD
优势和特点
电源关闭时所有开关断开
如果发生过压，接通通道的模拟输出将箝位在电源电压范围内
无闩锁设计
故障和过压保护：-40 V、+55 V
快速开关时间接通时间：250 ns（最大值）断开时间：150 ns（最大值）
先开后合式设计
TTL和CMOS兼容型输入
16引脚DIP/SOIC封装
产品详情
ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器；ADG438F内置8个单通道，ADG439F内置4个差分通道，而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构，发生过压或失电时，器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下，当电源关闭时，多路复用器输入（或输出）表现为开路，泄漏电流只有几nA。这样，不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路，而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。
ADG438F根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG439F根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。各器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。
产品聚焦故障保护。ADG438F和ADG439F可以耐受最大−40 V或+55 V的连续电压输入。当因电源关闭而发生故障时，所有通道均关闭，泄漏电流仅有几nA。
存在故障时，接通通道饱和。
低导通电阻。
快速开关时间。
先开后合式开关动作。保证先开后合式开关动作，从而保护输入信号不受瞬时短路影响。
沟道隔离可消除闩锁。电介质沟道将p沟道与n沟道MOSFET分开，从而有效防止闩锁现象。
改进关断隔离。沟道隔离增强了ADG438F/ADG439F的通道间隔离性能。
应用数据采集系统
工业和过程控制系统
航空电子测试设备
系统间信号路由
高可靠性控制系统
ADG439F 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADG439FBRZ | - | - | 立即购买 |
| ADG439FBRWZ | - | - | 立即购买 |
| ADG439FBR | - | - | 立即购买 |
| ADG439FBNZ | - | - | 立即购买 |
| ADG439FBR-REEL | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
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| AP2502KTR-G1 | ADUM1410 | ADG1221 | AD7245A |
| ADAU1461 | AD7890 | ADG819 | AD8156 |
| ATMEGA88-20AU | AD9518-1 | ADV3219 | ADG706 |
| AD736 | AD977A | ATMEGA16L-8MU | ADT6503 |
| AD8092 | AD7902 | AD7720 | AD8253 |
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