描述
IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达500V,dv/dt=±50V/ns,15V下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;逻辑电源电压范围(脚9)5~15V,可方便地与TTL,CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量;工作频率高,可达500kHz;开通、关断延迟小,分别为120ns和94ns;图腾柱输出峰值电流为2A。
IR2110的内部功能框图如图1所示。由三个部分组成:逻辑输入,电平平移及输出保护。如上所述IR2110的特点,可以为装置的设计带来许多方便。尤其是高端悬浮自举电源的成功设计,可以大大减少驱
R2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,双列直插14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达500V,dv/dt=±50V/ns,15V下静态功耗116mW;输出的电源端(脚3,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;逻辑电源电压范围(脚9)5~15V,可方便地与TTL,CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量;工作频率高,可达500kHz;开通、关断延迟小,分别为120ns和94ns;图腾柱输出峰值电流为2A。
IR2110电路图
IR2110电路图
IR2110电路图
IR2110电路图
IR2110 引脚图
IR2110 封装图
IR2110 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IR2110C | Vishay | 39 kOhms ±5% 13W 轴向 通孔电阻器 防潮 绕线 | 立即购买 |
IR2110STRPBF 编带 | Vicor | 隔离模块 直流转换器 1 输出 28V 14.28A 43V - 110V 输入 | 立即购买 |
IR2110STRPBF/BKN | Vishay Semiconductor Diodes Division | 立即购买 | |
IR2110L4SCS | TE Connectivity AMP Connectors | 立即购买 | |
IR2110E4SCS | TE Connectivity AMP Connectors | 立即购买 | |
IR2110STRPBF-CUT TAPE | EDAC | 857 HIGH TEMP' SERIES (.156" (3. | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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上下管驱动电路中均加上由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理为:电源电压为20 V,在上电期间,电源通过Rg给Cg充电,Cg保持5 V的电压,在LIN为高电平的时候,LO输出0 V,此时
IR2110在Buck变换器中的应用电路
驱动IGBT电压型功率器件有多种具有保护及隔离功能的集成驱动模块。这些模块具有多种保护功能、隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定可靠等优点,但其相对价格较高,且只能驱动
反相延时驱动电路如下图所示。电路中驱动芯片采用了美国International Rectifier(IR)公司的IR2110.它不仅包括基本的开关单元和驱动电路,还具有与外电路结合的保护控制功能。
IR2110负电压产生电路
主要介绍了功率驱动芯片IR2110在无刷直流电机驱动电路中的应用,IR2110芯片是一种双通道、栅极驱动、高压高速功率器件的单片式集成驱动模块。永磁无刷直流电机是随着高性能永磁材料、电机控制技术和电力电子技术的发展而...
本文介绍了直流电机的IR2110驱动控制设计及DSP实现,采用功率MOSFET芯片IRF530作为开关元件,IR2110作为MOSFET的栅极驱动控制,用DSP产生PWM信号并通过光耦及逻辑控制送至IR2110。该控制达到了很好的效果,具有较高使用价值。
本文开始介绍看IR2110的特点和IR2110内部功能图,其次详细阐述了IR2110的工作原理,对IR2110自举电路工作原理进行了分析和IR2110栅极电平箝位电路,最后介绍了三款ir2110的应用电路。
INA301 | INA215 | IMD10A | INA211 |
INA214-Q1 | ISO7220C | INA303 | irf630 |
INA240 | INA188 | ISO7721 | irf540 |
I3G4250D | IBIS4-6600 | INA210-Q1 | INA826 |
ISO7841 | ISO7741 | INA210 | INA213-Q1 |